RU207Cn沟道MOSFET

特性
•20 v / 6,
RDS(上)= 10 m?6?8(Typ)@VGS = 4.5 v RDS(上)= 15 m?6?8(Typ)@VGS = 2.5 v
•低RDS(上)
·超高密度电池设计
•可靠和崎岖的
•可用的无铅和绿色设备(RoHS兼容)
应用程序
•电源管理